行家說快訊：

近期，行家說Display通過企查查了解到，乾照光電、兆馳半導(dǎo)體等多家企業(yè)均有MicroLED相關(guān)專利在近期有進(jìn)入公布階段。

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(資料圖)

兆馳半導(dǎo)體：一種MicroLED芯片及其制備方法

6月6日，兆馳半導(dǎo)體公布了“一種Micro LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利。

本發(fā)明提供一種Micro LED芯片及其制備方法，該方法通過將紅綠藍(lán)三色外延層制備在同一個襯底上，然后再依此制備電流擴展層、反射墻、第一電極、布拉格反射層、第二電極及焊盤層，且所述反射墻設(shè)置于紅綠藍(lán)三色四周，使得紅綠藍(lán)三色芯片側(cè)面出光可以通過反射墻反射從襯底面射出，避免了的藍(lán)光外延層吸收綠光芯片的側(cè)面出光，綠光外延層吸收紅光芯片的側(cè)面出光，造成綠光芯片和紅光芯片的亮度損失。

所述方法制備的Micro LED芯片不需要襯底剝離工藝，降低了襯底剝離工藝所需要的高額成本，同時該方法還可以同時在襯底上完成N個像素點，相當(dāng)于無限的縮小像素點之間的距離，得到更優(yōu)秀的顯示效果。

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兆馳半導(dǎo)體：一種Micro LED芯片及其制備方法

除此之外，5月23日，兆馳半導(dǎo)體還在企查查公布了一種“用于Micro LED的外延片及其制備方法”的發(fā)明專利。

本發(fā)明公開了一種用于Micro LED的外延片及其制備方法、Micro LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。用于Micro LED的外延片包括襯底和依次設(shè)于襯底上的形核層、本征GaN層、N?GaN層、V型坑開口層、多量子阱層、電子阻擋層和P?GaN層；

V型坑開口層包括依次層疊的SiO2島層、SiO2島填平層和V型坑開口延伸層；

SiO2島層包括多個陣列分布于N?GaN層上的SiO2島；

SiO2島填平層包括AlN層；

V型坑開口延伸層為InGaN層和第一AlGaN層交替生長形成的周期性結(jié)構(gòu)。

實施本發(fā)明，可提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率，提高抗靜電能力，提高發(fā)光波長和發(fā)光亮度均勻性。

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乾照光電：一種LED芯片及其制備方法

5月30日，乾照光電公布了“一種LED芯片及其制備方法”的發(fā)明專利。

本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過將襯底設(shè)置具有多個凸起，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層疊于所述襯底具有凸起的一側(cè)表面；其中，所述凸起沿第一方向的橫截面積逐漸減?。谎氐谝环较蛏纤鐾蛊鸬膯挝桓叨人鶎?yīng)的橫截面積差值為變化速率，則變化速率和凸起高度的曲線呈“V”形；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。

基于上述設(shè)置所獲得的凸起形狀，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，從而擴大了LED芯片的發(fā)光角度；如此，在后續(xù)顯屏組裝時可簡化背光設(shè)計，尤其適用于微型LED芯片(如Mini LED或Micro LED等)。

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乾照光電：一種Micro LED顯示裝置及其制作方法

除此之外，5月12日，乾照光電公布了“一種Micro LED顯示裝置及其制作方法”發(fā)明專利。

本發(fā)明提供一種Micro LED顯示裝置及其制作方法，其中Micro LED顯示裝置包括：驅(qū)動電路單元，設(shè)置在驅(qū)動電路單元上的若干像素單元。

每個像素單元均包括：發(fā)光單元，發(fā)光單元通過分割道間隔設(shè)有三個發(fā)光結(jié)構(gòu)，三個發(fā)光結(jié)構(gòu)為紫外光發(fā)光結(jié)構(gòu)或紫光發(fā)光結(jié)構(gòu)，通過熒光粉激發(fā)獲得白光，經(jīng)過紅、綠、藍(lán)三基色濾光片后，結(jié)合控制第一電極、第二電極、第三電極和第四電極，可以實現(xiàn)紅、綠、藍(lán)三基色單色控制及其混色控制。

第一電極、第二電極、第三電極和第四電極同時設(shè)置在背光面這一側(cè)，可增加出光面的發(fā)光面積，且第四電極通過分割道與透明導(dǎo)電層連接，可明顯增大電流擴展和增強電導(dǎo)熱能力，進(jìn)而提高M(jìn)icro LED顯示裝置的發(fā)光效率和可靠性。

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